BIẾN DẠNG GÓC TRÊN BỀ MẶT PbTiO3: SỬ DỤNG NGUYÊN LÍ ĐẦU TRONG NGHIÊN CỨU

Authors

  • Nguyễn Tuấn Hưng
  • Đỗ Văn Trường
  • Takayuki Kitamura

DOI:

https://doi.org/10.15625/0866-708X/51/1/9568

Keywords:

lí thuyết phiếm hàm mật độ, phân cực, biến dạng góc, màng mỏng sắt điện, bề mặt

Abstract

Vật liệu sắt điện PbTiO3 với cấu trúc màng mỏng đang được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị công nghệ như trong các cơ cấu của truyền động MEMs/NEMs và trong các bộ nhớ FeRAM. Nghiên cứu này tập trung khảo sát ảnh hưởng của biến dạng góc đến tính chất sắt điện của màng mỏng PbTiO3 với cả hai bề mặt kết thúc PbO (1×1) và TiO2 (1×1). Tính toán mô phỏng được dựa trên lí thuyết phiếm hàm mật độ ab initio sử dụng xấp xỉ mật độ địa phương (LDA), kết quả chỉ ra rằng đối với cả hai mô hình bề mặt PbO và TiO2 (1×1), tính sắt điện trong các lớp PbO tăng khi chịu biến dạng góc dương và giảm khi chịu biến dạng góc âm. Đối với các lớp TiO2, tính sắt điện tăng nhẹ đối với biến dạng góc dương và giảm mạnh đối với biến dạng góc âm.

Downloads

Download data is not yet available.

Published

2017-04-09

Issue

Section

Articles