BIẾN DẠNG GÓC TRÊN BỀ MẶT PbTiO3: SỬ DỤNG NGUYÊN LÍ ĐẦU TRONG NGHIÊN CỨU
Author affiliations
DOI:
https://doi.org/10.15625/0866-708X/51/1/9568Keywords:
lí thuyết phiếm hàm mật độ, phân cực, biến dạng góc, màng mỏng sắt điện, bề mặtAbstract
Vật liệu sắt điện PbTiO3 với cấu trúc màng mỏng đang được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị công nghệ như trong các cơ cấu của truyền động MEMs/NEMs và trong các bộ nhớ FeRAM. Nghiên cứu này tập trung khảo sát ảnh hưởng của biến dạng góc đến tính chất sắt điện của màng mỏng PbTiO3 với cả hai bề mặt kết thúc PbO (1×1) và TiO2 (1×1). Tính toán mô phỏng được dựa trên lí thuyết phiếm hàm mật độ ab initio sử dụng xấp xỉ mật độ địa phương (LDA), kết quả chỉ ra rằng đối với cả hai mô hình bề mặt PbO và TiO2 (1×1), tính sắt điện trong các lớp PbO tăng khi chịu biến dạng góc dương và giảm khi chịu biến dạng góc âm. Đối với các lớp TiO2, tính sắt điện tăng nhẹ đối với biến dạng góc dương và giảm mạnh đối với biến dạng góc âm.
Downloads
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Vietnam Journal of Sciences and Technology (VJST) is an open access and peer-reviewed journal. All academic publications could be made free to read and downloaded for everyone. In addition, articles are published under term of the Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA) Licence which permits use, distribution and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited & ShareAlike terms followed.
Copyright on any research article published in VJST is retained by the respective author(s), without restrictions. Authors grant VAST Journals System a license to publish the article and identify itself as the original publisher. Upon author(s) by giving permission to VJST either via VJST journal portal or other channel to publish their research work in VJST agrees to all the terms and conditions of https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/ License and terms & condition set by VJST.
Authors have the responsibility of to secure all necessary copyright permissions for the use of 3rd-party materials in their manuscript.