NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU CACBORUN TỪ NANO SiO2
Author affiliations
DOI:
https://doi.org/10.15625/0866-708X/53/1/3972Keywords:
nghiền năng lượng cao, thiêu kết, nano SiO2, cacborun (SiC)Abstract
SiO2 từ tro trấu với kích thước hạt khoảng 50 nm (nano-SiO2) được chế tạo bằng công nghệ nghiền năng lượng cao. Khi thiêu kết hỗn hợp nano-SiO2 và graphite (C) phản ứng hoàn toàn tạo ra cacborun (SiC) dạng bột mịn xảy ra tại nhiệt độ 1550oC, thời gian 1 giờ. Sản phẩm SiC nhận được có độ sạch cao có thể ứng dụng làm tấm kê, gối đỡ trong công nghệ gốm sứ hay các thanh đốt trong lò nhiệt độ cao.Việc phát hiện SiC kết tinh hình que khi sử dụng hỗn hợp nano-SiO2 chứa tạp chất để thiêu kết gợi mở những nghiên cứu mới nhằm chế tạo vật liệu que nano SiC ứng dụng làm chip LED tử ngoại hay vật liệu tổ hợp nano polymer dẫn điện với những tính chất điện và quang điện tử nổi trội.
Downloads
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Vietnam Journal of Sciences and Technology (VJST) is an open access and peer-reviewed journal. All academic publications could be made free to read and downloaded for everyone. In addition, articles are published under term of the Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA) Licence which permits use, distribution and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited & ShareAlike terms followed.
Copyright on any research article published in VJST is retained by the respective author(s), without restrictions. Authors grant VAST Journals System a license to publish the article and identify itself as the original publisher. Upon author(s) by giving permission to VJST either via VJST journal portal or other channel to publish their research work in VJST agrees to all the terms and conditions of https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/ License and terms & condition set by VJST.
Authors have the responsibility of to secure all necessary copyright permissions for the use of 3rd-party materials in their manuscript.